GP1M016A060N

功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

制造商:global power technologies group

系列:-

包装:管件

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):470 毫欧 @ 8A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3039pF @ 25V

功率 - 最大值:312W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装:TO-3PN

标准包装:1

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